MURF30005R
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| Numero parte | MURF30005R |
| PNEDA Part # | MURF30005R |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 150A TO244 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURF30005R Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURF30005R |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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MURF30005R Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 150A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 150A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-244AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244 |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 3000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 270A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 3000V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 3-MAGN-A-PAK™ Pacchetto dispositivo fornitore MAGN-A-PAK® |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 215mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 18A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 9A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB |
Produttore Semtech Corporation Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 36A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 40µA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
