MUN2212T1G
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| Numero parte | MUN2212T1G |
| PNEDA Part # | MUN2212T1G |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 42.786 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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MUN2212T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MUN2212T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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MUN2212T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 22 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 338mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006-3 |
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