MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
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| Numero parte | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
| PNEDA Part # | MT53D512M64D4NY-046-XT-ES-E |
| Descrizione | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.326 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | 2133MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.1V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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