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MT49H16M18BM-5:B TR

MT49H16M18BM-5:B TR

Solo per riferimento

Numero parte MT49H16M18BM-5:B TR
PNEDA Part # MT49H16M18BM-5-B-TR
Descrizione IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT49H16M18BM-5:B TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT49H16M18BM-5:B TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT49H16M18BM-5:B TR, MT49H16M18BM-5:B TR Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 5.572,53 KB)
PDFMT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Copertura
MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 2 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 3 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 4 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 5 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 6 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 7 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 8 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 9 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 10 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 11

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MT49H16M18BM-5:B TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria288Mb (16M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-µBGA (18.5x11)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

36ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

CY7C1357C-100AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-TFBGA (14x18)

25LC040A-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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