MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR
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| Numero parte | MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR |
| PNEDA Part # | MT48V4M32LFF5-8-IT-G-TR |
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.192 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Dimensione della memoria | 128Mb (4M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 125MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 7ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-VFBGA (8x13) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (1M x 1) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOJ |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 36Mb (1M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
