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MT48LC2M32B2TG-6A IT:J

MT48LC2M32B2TG-6A IT:J

Solo per riferimento

Numero parte MT48LC2M32B2TG-6A IT:J
PNEDA Part # MT48LC2M32B2TG-6A-IT-J
Descrizione IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.226
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT48LC2M32B2TG-6A IT:J Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48LC2M32B2TG-6A IT:J
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J, MT48LC2M32B2TG-6A IT:J Datasheet (Totale pagine: 80, Dimensioni: 3.615,95 KB)
PDFMT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Copertura
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 2 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 3 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 4 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 5 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 6 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 7 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 8 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 9 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 10 MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Datasheet Pagina 11

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  • MT48LC2M32B2TG-6A IT:J Distributor

MT48LC2M32B2TG-6A IT:J Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria64Mb (2M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore86-TSOP II

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IS42S16800E-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

FM25V20A-DGTR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (5x6)

IS25WD020-JKLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

N25Q128A23BSF40E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (32M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO W

M58LT128HSB8ZA6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-LBGA (10x12)

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