MT47H512M8WTR-25E:C
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| Numero parte | MT47H512M8WTR-25E:C | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MT47H512M8WTR-25E-C | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA | ||||||||||||||||||
| Produttore | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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MT47H512M8WTR-25E:C Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT47H512M8WTR-25E:C |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT47H512M8WTR-25E:C, MT47H512M8WTR-25E:C Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 312,55 KB)
  
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MT47H512M8WTR-25E:C Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 400ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-FBGA (9x11.5) |
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