MT47H512M4THN-25E:H
Solo per riferimento
| Numero parte | MT47H512M4THN-25E:H |
| PNEDA Part # | MT47H512M4THN-25E-H |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.038 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT47H512M4THN-25E:H Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | MT47H512M4THN-25E:H |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT47H512M4THN-25E:H, MT47H512M4THN-25E:H Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 360,68 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- MT47H512M4THN-25E:H Datasheet
- where to find MT47H512M4THN-25E:H
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:H
- MT47H512M4THN-25E:H PDF Datasheet
- MT47H512M4THN-25E:H Stock
- MT47H512M4THN-25E:H Pinout
- Datasheet MT47H512M4THN-25E:H
- MT47H512M4THN-25E:H Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT47H512M4THN-25E:H Price
- MT47H512M4THN-25E:H Distributor
MT47H512M4THN-25E:H Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 400ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-FBGA (8x10) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 75ns Tempo di accesso 75ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 64Gb (8G x 8) Interfaccia di memoria MMC Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 100-LBGA (14x18) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-TBGA (10x13) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II Dimensione della memoria 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
