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MT44K32M18RB-093E IT:A TR

MT44K32M18RB-093E IT:A TR

Solo per riferimento

Numero parte MT44K32M18RB-093E IT:A TR
PNEDA Part # MT44K32M18RB-093E-IT-A-TR
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT44K32M18RB-093E IT:A TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT44K32M18RB-093E IT:A TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT44K32M18RB-093E IT:A TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (32M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8ns
Tensione - Alimentazione1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-BGA (13.5x13.5)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

S34MS01G104BHV010

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

N25Q512A13GF840F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (128M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-VDFPN (MLP8) (8x6)

MT49H32M18CBM-18:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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