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MT44K16M36RB-093E:B TR

MT44K16M36RB-093E:B TR

Solo per riferimento

Numero parte MT44K16M36RB-093E:B TR
PNEDA Part # MT44K16M36RB-093E-B-TR
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.100
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT44K16M36RB-093E:B TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT44K16M36RB-093E:B TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT44K16M36RB-093E:B TR, MT44K16M36RB-093E:B TR Datasheet (Totale pagine: 120, Dimensioni: 1.653,88 KB)
PDFMT44K32M18RB-093F:B Datasheet Copertura
MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 2 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 3 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 4 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 5 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 6 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 7 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 8 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 9 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 10 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 11

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MT44K16M36RB-093E:B TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8ns
Tensione - Alimentazione1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-BGA (13.5x13.5)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC (16.6x16.6)

STK14D88-RF25TR

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

S34ML01G200TFB003

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29CD016J1MDGH114

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CD-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (512K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

56MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.75V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 145°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

MTFC64GJDDN-4M IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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