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MT41K512M4DA-107:K

MT41K512M4DA-107:K

Solo per riferimento

Numero parte MT41K512M4DA-107:K
PNEDA Part # MT41K512M4DA-107-K
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.914
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT41K512M4DA-107:K Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT41K512M4DA-107:K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT41K512M4DA-107:K Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria2Gb (512M x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (8x10.5)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

IS42S32800B-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

CY14E256L-SZ35XI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

25AA160D-E/MS

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

AT28BV64B-20SA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

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