MT41K256M16HA-125 M:E TR
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| Numero parte | MT41K256M16HA-125 M:E TR |
| PNEDA Part # | MT41K256M16HA-125-M-E-TR |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.256 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT41K256M16HA-125 M:E TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT41K256M16HA-125 M:E TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT41K256M16HA-125 M:E TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 800MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 13.75ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 96-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (9x14) |
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Produttore Macronix Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, FL-L Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, QPI Frequenza di clock 108MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-USON (4x4) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH, RAM Tecnologia FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 168-VFBGA (12x12) |
Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 50µs, 2.4ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2.1V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-T Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60ns Tempo di accesso 110ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
