MT40A512M8RH-083E AAT:B
Solo per riferimento
Numero parte | MT40A512M8RH-083E AAT:B |
PNEDA Part # | MT40A512M8RH-083E-AAT-B |
Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ |
Produttore | Micron Technology Inc. |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.502 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
MT40A512M8RH-083E AAT:B Risorse
Brand | Micron Technology Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | MT40A512M8RH-083E AAT:B |
Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- MT40A512M8RH-083E AAT:B Datasheet
- where to find MT40A512M8RH-083E AAT:B
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AAT:B
- MT40A512M8RH-083E AAT:B PDF Datasheet
- MT40A512M8RH-083E AAT:B Stock
- MT40A512M8RH-083E AAT:B Pinout
- Datasheet MT40A512M8RH-083E AAT:B
- MT40A512M8RH-083E AAT:B Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT40A512M8RH-083E AAT:B Price
- MT40A512M8RH-083E AAT:B Distributor
MT40A512M8RH-083E AAT:B Specifiche
Produttore | Micron Technology Inc. |
Serie | - |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Macronix Produttore Macronix Serie MX25xxx35/36 - MXSMIO™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 300µs, 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (8x6) |
Micron Technology Inc. Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.1V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Micron Technology Inc. Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5.0ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (9x13) |
Cypress Semiconductor Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-P Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5µs, 3ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Microchip Technology Produttore Microchip Technology Serie SST25 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 33MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20µs Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON |