MT40A1G8WE-075E:B
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| Numero parte | MT40A1G8WE-075E:B |
| PNEDA Part # | MT40A1G8WE-075E-B |
| Descrizione | IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.064 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT40A1G8WE-075E:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT40A1G8WE-075E:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT40A1G8WE-075E:B, MT40A1G8WE-075E:B Datasheet
(Totale pagine: 391, Dimensioni: 11.348,46 KB)
  
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MT40A1G8WE-075E:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 1.33GHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.26V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 78-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x12) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 36-SOJ |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 400ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 1µs Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
