MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR
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| Numero parte | MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR |
| PNEDA Part # | MT35XU01GBBA3G12-0SIT-TR |
| Descrizione | SERIAL NOR SLC 128MX8 TBGA DDP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.982 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | Xccela™ - MT35X |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Xccela Bus |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 2V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 24-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 24-TPBGA |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-SSOP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 150ns Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 24-CDIP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, FS-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, QPI Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 24-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 24-BGA (8x6) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 256-CABGA (17x17) |
