MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
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| Numero parte | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
| PNEDA Part # | MT29RZ4B2DZZHGSK-18-W-80E-TR |
| Descrizione | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.976 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 162-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (11.5x13) |
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