MT29F1G16ABBEAMD-IT:E
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| Numero parte | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E |
| PNEDA Part # | MT29F1G16ABBEAMD-IT-E |
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.184 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F1G16ABBEAMD-IT:E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F1G16ABBEAMD-IT:E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 130-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8 , 64 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
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