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MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

Solo per riferimento

Numero parte MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
PNEDA Part # MT29F1G08ABAEAH4-AATX-E-TR
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR, MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Datasheet (Totale pagine: 95, Dimensioni: 1.061,98 KB)
PDFMT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Copertura
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 2 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 3 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 4 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 5 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 6 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 7 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 8 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 9 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 10 MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Datasheet Pagina 11

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  • MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Distributor

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore63-VFBGA (9x11)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP-T

IS42VM32160E-75BLI-TR

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

GD5F2GQ4UFYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

700µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

CY62138FV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

36-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

36-VFBGA (6x8)

S29WS512PABBFW000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (11.6x8)

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