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MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT

MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT

Solo per riferimento

Numero parte MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT
PNEDA Part # MT29C2G24MAABAHAKC-5-IT
Descrizione IC FLASH RAM 2G PARAL 107TFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.642
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29C2G24MAABAHAKC-5 IT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT, MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 421,23 KB)
PDFMT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Copertura
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 2 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 3 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 4 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 5 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 6 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 7 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 8 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 9 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 10 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 11

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MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia107-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore107-TFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

AS6C4008-55TINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP I

MT51K128M32HF-60 N:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.5GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

170-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

170-FBGA (12x14)

IDT70V7319S133DD

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-LQFP Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

144-TQFP (20x20)

EDF8132A3PK-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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