MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT
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| Numero parte | MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT |
| PNEDA Part # | MT29C1G12MAAJYAMD-5-IT |
| Descrizione | IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.906 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 130-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Maxim Integrated Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 4.75V ~ 5.25V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 32-EDIP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 36-SOJ |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso 250ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-CDIP |
