MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR
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| Numero parte | MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR |
| PNEDA Part # | MT29C1G12MAADAFAKD-6-E-IT-TR |
| Descrizione | IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.184 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 137-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 137-TFBGA (10.5x13) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 52-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 52-PLCC (19.13x19.13) |
