MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR
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| Numero parte | MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR |
| PNEDA Part # | MT29C1G12MAACAFAMD-6-IT-TR |
| Descrizione | IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.786 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 130-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 256Gb (32G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 152-VBGA Pacchetto dispositivo fornitore 152-VBGA |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 2Mb (128K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.6ns Tensione - Alimentazione 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 208-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 208-CABGA (15x15) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 36Mb (1M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria Single Wire Frequenza di clock 100kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-MSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-VFBGA (6x8) |
