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MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR

MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR
PNEDA Part # MT28GU512AAA1EGC-0SIT-TR
Descrizione IC FLASH 512M PARALLEL 64TBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.012
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28GU512AAA1EGC-0SIT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR, MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR Datasheet (Totale pagine: 121, Dimensioni: 1.435,18 KB)
PDFMT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Copertura
MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 2 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 3 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 4 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 5 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 6 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 7 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 8 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 9 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 10 MT28GU512AAA1EGC-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso96ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-TBGA (10x8)

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25AA040X-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

N25Q064A13E12D0F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (16M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-T-PBGA (6x8)

SST25PF080B-80-4C-QAE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

7024S25PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

AT49F001-55JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

Venduto di recente

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

7443551130

7443551130

Wurth Electronics

FIXED IND 1.3UH 25A 1.8 MOHM SMD

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

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Abracon

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COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

TCN4337M016R0070

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CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924

B32921C3104M000

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TDK-EPCOS

CAP FILM 0.1UF 20% 305VAC RADIAL

CKR05BX104KR

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CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

T491X227K016AT

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KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

TAJE107M025RNJ

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CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

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TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

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CAP TANT 100UF 10% 20V 2917