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MT28F800B5SG-8 TET

MT28F800B5SG-8 TET

Solo per riferimento

Numero parte MT28F800B5SG-8 TET
PNEDA Part # MT28F800B5SG-8-TET
Descrizione IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.778
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28F800B5SG-8 TET Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F800B5SG-8 TET
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F800B5SG-8 TET, MT28F800B5SG-8 TET Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 1.335,4 KB)
PDFMT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Copertura
MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 2 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 3 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 4 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 5 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 6 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 7 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 8 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 9 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 10 MT28F800B5WP-8 T TR Datasheet Pagina 11

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MT28F800B5SG-8 TET Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina80ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1373KV33-133AXI

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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