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MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR

MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR
PNEDA Part # MT25QL512ABB8ESF-0AAT-TR
Descrizione IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QL512ABB8ESF-0AAT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR, MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR Datasheet (Totale pagine: 97, Dimensioni: 1.256,15 KB)
PDFMT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Copertura
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 2 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 3 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 4 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 5 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 6 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 7 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 8 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 9 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 10 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SO

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IDT71V632S5PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

2Mb (64K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.63V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

IS25LQ016B-JLLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (8x6)

DS1225AB-170+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

170ns

Tempo di accesso

170ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

AT25SF128A-SHB-T

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128M (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 2.4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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