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MT25QL01GBBB8E12-0AUT

MT25QL01GBBB8E12-0AUT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QL01GBBB8E12-0AUT
PNEDA Part # MT25QL01GBBB8E12-0AUT
Descrizione IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $295,1146
50 ---------- $281,2811
100 ---------- $267,4476
200 ---------- $253,6141
400 ---------- $242,0862
500 ---------- $230,5583
Disponibile 2.737
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QL01GBBB8E12-0AUT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QL01GBBB8E12-0AUT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QL01GBBB8E12-0AUT, MT25QL01GBBB8E12-0AUT Datasheet (Totale pagine: 95, Dimensioni: 1.242,65 KB)
PDFMT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Copertura
MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 2 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 3 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 4 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 5 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 6 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 7 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 8 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 9 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 10 MT25QL01GBBB8E12-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QL01GBBB8E12-0AUT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-T-PBGA (6x8)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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