MSRT150120(A)D
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| Numero parte | MSRT150120(A)D |
| PNEDA Part # | MSRT150120-A-D |
| Descrizione | DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.060 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSRT150120(A)D Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSRT150120(A)D |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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MSRT150120(A)D Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 150A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 150A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 100A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, TMBS® Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 790mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-262AA |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 810mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-262AA |
Produttore Littelfuse Inc. Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
