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MSM5117400F-60T3-K-7

MSM5117400F-60T3-K-7

Solo per riferimento

Numero parte MSM5117400F-60T3-K-7
PNEDA Part # MSM5117400F-60T3-K-7
Descrizione IC DRAM 16M PARALLEL KBU
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 4.824
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MSM5117400F-60T3-K-7 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMSM5117400F-60T3-K-7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MSM5117400F-60T3-K-7, MSM5117400F-60T3-K-7 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 252,7 KB)
PDFMSM5117400F-60J3-7 Datasheet Copertura
MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 2 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 3 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 4 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 5 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 6 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 7 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 8 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 9 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 10 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 11

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MSM5117400F-60T3-K-7 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria16Mb (4M x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina110ns
Tempo di accesso30ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia26-SMD
Pacchetto dispositivo fornitoreKBU

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

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Produttore

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-DIP Module (18.42x42.8)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-VFBGA (11.5x13)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (6.4x10.1)

PZ28F032M29EWHA

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

60ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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