MSE1PG-M3/89A
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| Numero parte | MSE1PG-M3/89A |
| PNEDA Part # | MSE1PG-M3-89A |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.292.088 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSE1PG-M3/89A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSE1PG-M3/89A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MSE1PG-M3/89A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | MicroSMP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1500V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 5V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 1500V Capacità @ Vr, F 4pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 120ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 58pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1700V Corrente - Media Rettificata (Io) 110A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 25A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 1700V Capacità @ Vr, F 1596pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
