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MS3456

MS3456

Solo per riferimento

Numero parte MS3456
PNEDA Part # MS3456
Descrizione RF POWER TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.618
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS3456 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS3456
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS3456 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

1214-370M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB ~ 9dB

Potenza - Max

600W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

2SC5095-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

13dB ~ 7dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

BFS17TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

210mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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