MS1612
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| Numero parte | MS1612 |
| PNEDA Part # | MS1612 |
| Descrizione | RF POWER TRANSISTOR |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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MS1612 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MS1612 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MS1612 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 1.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 6.5dB @ 60MHz Guadagno 14dB @ 200MHz Potenza - Max 350W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 |
Produttore CEL Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 6V Frequenza - Transizione 12GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Guadagno 10dB Potenza - Max 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 30mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Broadcom Limited Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz Guadagno 9dB ~ 14.5dB Potenza - Max 225mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 42V Frequenza - Transizione 2.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 8dB Potenza - Max 20.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Temperatura di esercizio 200°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 55BT Pacchetto dispositivo fornitore 55BT |
