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MS1007

MS1007

Solo per riferimento

Numero parte MS1007
PNEDA Part # MS1007
Descrizione RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.996
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS1007 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS1007
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS1007 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Frequenza - Transizione30MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno14dB
Potenza - Max233W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce18 @ 1.4A, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaM174
Pacchetto dispositivo fornitoreM174

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2N5770

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

2SC27780CL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

230MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

MRF581AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Macro-X

Pacchetto dispositivo fornitore

Macro-X

MRF5812M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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