Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

MMIX1T550N055T2

MMIX1T550N055T2

Solo per riferimento

Numero parte MMIX1T550N055T2
PNEDA Part # MMIX1T550N055T2
Descrizione MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMIX1T550N055T2 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMIX1T550N055T2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MMIX1T550N055T2, MMIX1T550N055T2 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 150,72 KB)
PDFMMIX1T550N055T2 Datasheet Copertura
MMIX1T550N055T2 Datasheet Pagina 2 MMIX1T550N055T2 Datasheet Pagina 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • MMIX1T550N055T2 Datasheet
  • where to find MMIX1T550N055T2
  • IXYS

  • IXYS MMIX1T550N055T2
  • MMIX1T550N055T2 PDF Datasheet
  • MMIX1T550N055T2 Stock

  • MMIX1T550N055T2 Pinout
  • Datasheet MMIX1T550N055T2
  • MMIX1T550N055T2 Supplier

  • IXYS Distributor
  • MMIX1T550N055T2 Price
  • MMIX1T550N055T2 Distributor

MMIX1T550N055T2 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieFRFET®, SupreMOS®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C550A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs595nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds40000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)830W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore24-SMPD
Pacchetto / Custodia24-PowerSMD, 21 Leads

I prodotti a cui potresti essere interessato

NVMFS5C677NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

SIR618DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 7.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IRFZ46NSTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1696pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFU020

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251AA

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STP11NM60A

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1211pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Venduto di recente

RL2010FK-070R43L

RL2010FK-070R43L

Yageo

RES 0.43 OHM 1% 3/4W 2010

TS30013-M050QFNR

TS30013-M050QFNR

Semtech

IC REG BUCK 5V 3A 16QFN

IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC

L7815CD2T-TR

L7815CD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 15V 1.5A D2PAK

TSL2550T

TSL2550T

ams

SENSOR OPT 640NM AMBIENT 4SMD

LBM2016T330J

LBM2016T330J

Taiyo Yuden

FIXED IND 33UH 125MA 3.6 OHM SMD

SMBJ14CA

SMBJ14CA

Littelfuse

TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA

M29W160ET70N6E

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

FSA5157L6X

FSA5157L6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

ES1JFL

ES1JFL

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247