MMIX1F180N25T
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| Numero parte | MMIX1F180N25T |
| PNEDA Part # | MMIX1F180N25T |
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 130A SMPD |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.354 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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MMIX1F180N25T Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MMIX1F180N25T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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MMIX1F180N25T Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 132A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 364nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23800pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 570W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SMPD |
| Pacchetto / Custodia | 24-PowerSMD, 21 Leads |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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