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MMBTH10-4LT1

MMBTH10-4LT1

Solo per riferimento

Numero parte MMBTH10-4LT1
PNEDA Part # MMBTH10-4LT1
Descrizione RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.082
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBTH10-4LT1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBTH10-4LT1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MMBTH10-4LT1, MMBTH10-4LT1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 91,3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1 Datasheet Copertura
MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 2 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 3 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 4 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 5

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MMBTH10-4LT1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione800MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

135mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

CMPAK-4

1214-220M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.4dB

Potenza - Max

700W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

UTV020

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

470MHz ~ 860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12dB

Potenza - Max

17W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

CEN1107

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFU550AR

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

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