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MMBT6517LT3G

MMBT6517LT3G

Solo per riferimento

Numero parte MMBT6517LT3G
PNEDA Part # MMBT6517LT3G
Descrizione TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.226
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT6517LT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT6517LT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMBT6517LT3G, MMBT6517LT3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 119,71 KB)
PDFMMBT6517LT3G Datasheet Copertura
MMBT6517LT3G Datasheet Pagina 2 MMBT6517LT3G Datasheet Pagina 3 MMBT6517LT3G Datasheet Pagina 4 MMBT6517LT3G Datasheet Pagina 5

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MMBT6517LT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)350V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)50nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 50mA, 10V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione200MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 30mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

Potenza - Max

1.2W

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

TIP30ATU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

MCH3106-S-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

165mV @ 30mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

280MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCPH

JAN2N3441

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/369

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 500mA, 4V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-213AA, TO-66-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-66 (TO-213AA)

BC182_ND74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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