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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

Solo per riferimento

Numero parte MMBT5551LT3G
PNEDA Part # MMBT5551LT3G
Descrizione TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 218.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT5551LT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT5551LT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMBT5551LT3G, MMBT5551LT3G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 197,74 KB)
PDFMMBT5550LT1 Datasheet Copertura
MMBT5550LT1 Datasheet Pagina 2 MMBT5550LT1 Datasheet Pagina 3 MMBT5550LT1 Datasheet Pagina 4 MMBT5550LT1 Datasheet Pagina 5 MMBT5550LT1 Datasheet Pagina 6 MMBT5550LT1 Datasheet Pagina 7

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MMBT5551LT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)160V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 70mA, 700mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

600mW

Frequenza - Transizione

170MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC184LC_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSC2500BTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2PD601ART,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

CPH3223-TL-E

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-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

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