MMBFJ175LT1G
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| Numero parte | MMBFJ175LT1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MMBFJ175LT1G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 222.756 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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MMBFJ175LT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | MMBFJ175LT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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MMBFJ175LT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 3V @ 10nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 125 Ohms |
| Potenza - Max | 225mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
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