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MMBF4092

MMBF4092

Solo per riferimento

Numero parte MMBF4092
PNEDA Part # MMBF4092
Descrizione JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $1,2083
500 ---------- $1,1517
1.000 ---------- $1,0950
2.500 ---------- $1,0384
5.000 ---------- $0,9912
10.000 ---------- $0,9440
Disponibile 2.070
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBF4092 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBF4092
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBF4092, MMBF4092 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 278,8 KB)
PDFMMBF4092 Datasheet Copertura
MMBF4092 Datasheet Pagina 2 MMBF4092 Datasheet Pagina 3 MMBF4092 Datasheet Pagina 4 MMBF4092 Datasheet Pagina 5 MMBF4092 Datasheet Pagina 6

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MMBF4092 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)15mA @ 20V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 20V
Resistenza - RDS (On)50 Ohms
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

300 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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Central Semiconductor Corp

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-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

250 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

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2V @ 10nA

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10pF @ 15V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

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