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MMBD4448DW-TP

MMBD4448DW-TP

Solo per riferimento

Numero parte MMBD4448DW-TP
PNEDA Part # MMBD4448DW-TP
Descrizione DIODE ARRAY GP 75V 250MA SOT363
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.158
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBD4448DW-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBD4448DW-TP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MMBD4448DW-TP, MMBD4448DW-TP Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 287,5 KB)
PDFMMBD4448DW-TP Datasheet Copertura
MMBD4448DW-TP Datasheet Pagina 2 MMBD4448DW-TP Datasheet Pagina 3

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MMBD4448DW-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)75V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2.5µA @ 75V
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

160µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

SBR30150CT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBRF10100CTC0

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

MBRT20030

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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