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MJE5851G

MJE5851G

Solo per riferimento

Numero parte MJE5851G
PNEDA Part # MJE5851G
Descrizione TRANS PNP 350V 8A TO220AB
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJE5851G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJE5851G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJE5851G, MJE5851G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 98,39 KB)
PDFMJE5850 Datasheet Copertura
MJE5850 Datasheet Pagina 2 MJE5850 Datasheet Pagina 3 MJE5850 Datasheet Pagina 4 MJE5850 Datasheet Pagina 5 MJE5850 Datasheet Pagina 6 MJE5850 Datasheet Pagina 7 MJE5850 Datasheet Pagina 8

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MJE5851G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)350V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic5V @ 3A, 8A
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 5A, 5V
Potenza - Max80W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 30mA, 400mV

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

350MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-106-3 Domed

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-106

MJD210

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

Potenza - Max

1.4W

Frequenza - Transizione

65MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

2SCR586D3FRATL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

Potenza - Max

10W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

2N3417_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 3mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 4.5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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