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MJD5731T4

MJD5731T4

Solo per riferimento

Numero parte MJD5731T4
PNEDA Part # MJD5731T4
Descrizione TRANS PNP 350V 1A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD5731T4 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD5731T4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD5731T4, MJD5731T4 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 128,04 KB)
PDFMJD5731T4 Datasheet Copertura
MJD5731T4 Datasheet Pagina 2 MJD5731T4 Datasheet Pagina 3 MJD5731T4 Datasheet Pagina 4 MJD5731T4 Datasheet Pagina 5

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MJD5731T4 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)350V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Potenza - Max1.56W
Frequenza - Transizione10MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSB1116GBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

750mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

16 @ 800mA, 3V

Potenza - Max

70W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

BU505

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

700V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 900mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

150µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

75W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

Potenza - Max

60W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

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