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MJD210G

MJD210G

Solo per riferimento

Numero parte MJD210G
PNEDA Part # MJD210G
Descrizione TRANS PNP 25V 5A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.016
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD210G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD210G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD210G, MJD210G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 149,69 KB)
PDFMJD200T5G Datasheet Copertura
MJD200T5G Datasheet Pagina 2 MJD200T5G Datasheet Pagina 3 MJD200T5G Datasheet Pagina 4 MJD200T5G Datasheet Pagina 5 MJD200T5G Datasheet Pagina 6 MJD200T5G Datasheet Pagina 7

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MJD210G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce45 @ 2A, 1V
Potenza - Max1.4W
Frequenza - Transizione65MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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WeEn Semiconductors

Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 800mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

80W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

2SC4793,WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

2DC4617R-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

BD233STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 2V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

TN2219A_J05Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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