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MJD117G

MJD117G

Solo per riferimento

Numero parte MJD117G
PNEDA Part # MJD117G
Descrizione TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD117G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD117G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD117G, MJD117G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 148,1 KB)
PDFMJD117RLG Datasheet Copertura
MJD117RLG Datasheet Pagina 2 MJD117RLG Datasheet Pagina 3 MJD117RLG Datasheet Pagina 4 MJD117RLG Datasheet Pagina 5 MJD117RLG Datasheet Pagina 6 MJD117RLG Datasheet Pagina 7 MJD117RLG Datasheet Pagina 8 MJD117RLG Datasheet Pagina 9 MJD117RLG Datasheet Pagina 10

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MJD117G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione25MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 150mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

MiniP3-F1

2SA2039-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

430mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

360MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TP

JANTXV2N3635L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/357

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

JAN2N5666S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/455

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5A, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1.2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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