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MJ21193G

MJ21193G

Solo per riferimento

Numero parte MJ21193G
PNEDA Part # MJ21193G
Descrizione TRANS PNP 250V 16A TO3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.528
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJ21193G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJ21193G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJ21193G, MJ21193G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 172,19 KB)
PDFMJ21194G Datasheet Copertura
MJ21194G Datasheet Pagina 2 MJ21194G Datasheet Pagina 3 MJ21194G Datasheet Pagina 4 MJ21194G Datasheet Pagina 5 MJ21194G Datasheet Pagina 6 MJ21194G Datasheet Pagina 7

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MJ21193G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)250V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 3.2A, 16A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 8A, 5V
Potenza - Max250W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-204 (TO-3)

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TIP125TU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

4V @ 20mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 3V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

2N6279

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

FZT853TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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