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MJ21193G

MJ21193G

Solo per riferimento

Numero parte MJ21193G
PNEDA Part # MJ21193G
Descrizione TRANS PNP 250V 16A TO3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.528
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 16 - nov 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJ21193G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJ21193G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJ21193G, MJ21193G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 172,19 KB)
PDFMJ21194G Datasheet Copertura
MJ21194G Datasheet Pagina 2 MJ21194G Datasheet Pagina 3 MJ21194G Datasheet Pagina 4 MJ21194G Datasheet Pagina 5 MJ21194G Datasheet Pagina 6 MJ21194G Datasheet Pagina 7

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MJ21193G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)250V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 3.2A, 16A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 8A, 5V
Potenza - Max250W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-204 (TO-3)

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

65MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

BC849CWE6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

JANTX2N3998

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/374

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

TO-210AA, TO-59-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-59

JAN2N6193

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/561

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39 (TO-205AD)

KSP12TA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 10µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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