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MIO600-65E11

MIO600-65E11

Solo per riferimento

Numero parte MIO600-65E11
PNEDA Part # MIO600-65E11
Descrizione IGBT MODULE SGL 600A E11
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MIO600-65E11 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMIO600-65E11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MIO600-65E11, MIO600-65E11 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 253,98 KB)
PDFMIO600-65E11 Datasheet Copertura
MIO600-65E11 Datasheet Pagina 2 MIO600-65E11 Datasheet Pagina 3 MIO600-65E11 Datasheet Pagina 4 MIO600-65E11 Datasheet Pagina 5

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MIO600-65E11 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle Switch
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6500V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600A
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 600A
Corrente - Taglio collettore (Max)120mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce150nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE11
Pacchetto dispositivo fornitoreE11

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VWI6-12P1

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Potenza - Max

40W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.6V @ 15V, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.205nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC2

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

GSID200A120S3B1

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1595W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

CM200DY-24NF

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

47nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100DA120D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

APTGF50DH120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Chassis Mount

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