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MIC5013YM

MIC5013YM

Solo per riferimento

Numero parte MIC5013YM
PNEDA Part # MIC5013YM
Descrizione IC DRIVER MOSF HI/LO SIDE 8SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.208
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MIC5013YM Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMIC5013YM
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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MIC5013YM Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Configurazione guidataHigh-Side or Low-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione7V ~ 32V
Tensione logica - VIL, VIH2V, 4.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 430mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

75ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SO

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Monolithic Power Systems Inc.

Produttore

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 2.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 9ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

MIC4468BWM

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.2A, 1.2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 13ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

MCP14E4-E/SL

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 18ns

Temperatura di esercizio

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