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MCR10ERTF1151

MCR10ERTF1151

Solo per riferimento

Numero parte MCR10ERTF1151
PNEDA Part # MCR10ERTF1151
Descrizione RES SMD 1.15K OHM 1% 1/8W 0805
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.662
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 30 - ott 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MCR10ERTF1151 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCR10ERTF1151
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale
Datasheet
MCR10ERTF1151, MCR10ERTF1151 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 518,73 KB)
PDFMCR006YZPF71R5 Datasheet Copertura
MCR006YZPF71R5 Datasheet Pagina 2 MCR006YZPF71R5 Datasheet Pagina 3 MCR006YZPF71R5 Datasheet Pagina 4 MCR006YZPF71R5 Datasheet Pagina 5 MCR006YZPF71R5 Datasheet Pagina 6 MCR006YZPF71R5 Datasheet Pagina 7

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MCR10ERTF1151 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieMCR
Resistenza1.15 kOhms
Tolleranza±1%
Potenza (Watt)0.125W, 1/8W
ComposizioneThick Film
Caratteristiche-
Coefficiente di temperatura±100ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / Custodia0805 (2012 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore0805
Taglia / Dimensione0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Altezza - Seduto (Max)0.026" (0.65mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

9.09 Ohms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Y14870R03900B0W

VPG Foil Resistors

Produttore

VPG Foil Resistors

Serie

CSM

Resistenza

39 MOhms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

1W

Composizione

Metal Foil

Caratteristiche

Current Sense, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±15ppm/°C

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 170°C

Pacchetto / Custodia

2512 (6432 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Taglia / Dimensione

0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.035" (0.89mm)

Numero di cessazioni

4

Tasso di fallimento

-

Produttore

Susumu

Serie

RG

Resistenza

113 Ohms

Tolleranza

±0.05%

Potenza (Watt)

0.125W, 1/8W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±5ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0805 (2012 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.020" (0.50mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

SMA-A0204BTNX180R

TE Connectivity Passive Product

Produttore

TE Connectivity Passive Product

Serie

SMA-A

Resistenza

180 Ohms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.4W, 2/5W

Composizione

Metal Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±15ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

MELF, 0204

Pacchetto dispositivo fornitore

0204

Taglia / Dimensione

0.055" Dia x 0.138" L (1.40mm x 3.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

-

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

MMF

Resistenza

18.7 kOhms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Metal Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

MELF, 0204

Pacchetto dispositivo fornitore

MELF

Taglia / Dimensione

0.055" Dia x 0.138" L (1.40mm x 3.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

-

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

FAN1112SX

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ON Semiconductor

IC REG LINEAR 1.2V 1A SOT223-4

JS28F128J3F75A

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JANTX2N4092

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Microsemi

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

MBR0580-TP

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Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 80V 500MA SOD123

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DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

20IMX35D05D05-8G

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BAT54C

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MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

SMBJ36A-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

B0520LW-7-F

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Diodes Incorporated

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NE3509M04-A

NE3509M04-A

CEL

FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI