MCP87018T-U/MF
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| Numero parte | MCP87018T-U/MF |
| PNEDA Part # | MCP87018T-U-MF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.474 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCP87018T-U/MF Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MCP87018T-U/MF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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MCP87018T-U/MF Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | +10V, -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2925pF @ 12.5V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
