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MCH6437-TL-E

MCH6437-TL-E

Solo per riferimento

Numero parte MCH6437-TL-E
PNEDA Part # MCH6437-TL-E
Descrizione MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
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MCH6437-TL-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCH6437-TL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MCH6437-TL-E, MCH6437-TL-E Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 384,73 KB)
PDFMCH6437-TL-E Datasheet Copertura
MCH6437-TL-E Datasheet Pagina 2 MCH6437-TL-E Datasheet Pagina 3 MCH6437-TL-E Datasheet Pagina 4 MCH6437-TL-E Datasheet Pagina 5

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MCH6437-TL-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-MCPH
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads

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NTB4302T4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 24V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±13V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

FDMS4D4N08C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

123A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4090pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6), Power56

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

BUK9606-55A,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFPF40

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

MAX3224EEAP+T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

FA-20H 16.0000MF10Z-AJ0

FA-20H 16.0000MF10Z-AJ0

EPSON

CRYSTAL 16.0000MHZ 8PF SMD

SF-1206S400-2

SF-1206S400-2

Bourns

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Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

0458002.DR

0458002.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 48VAC 75VDC 1206

ZUS252412

ZUS252412

Cosel

DC DC CONVERTER 12V

SMBJ5.0CA

SMBJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

DS1624S+

DS1624S+

Maxim Integrated

SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

TEPT4400

TEPT4400

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW RAD

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

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FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD